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應用于非制冷紅外焦平面探測器。采用晶圓級封裝技術，可有效降低成本，提高效率。要求波長8~14μm范圍內的透過率盡可能高，同時要求四周預制金錫合金。下圖為典型光譜曲線，具體參數：
應用于非制冷紅外焦平面探測器。采用晶圓級封裝技術，可有效降低成本，提高效率。要求波長8~14μm范圍內的透過率盡可能高，同時要求四周預制金錫合金。
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